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Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente

BuchGebunden
429 Seiten
Deutsch
Springererschienen am17.03.2005
Er erläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden.Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw.mehr
Verfügbare Formate
BuchGebunden
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EUR67,43

Produkt

KlappentextEr erläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden.Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw.
Zusammenfassung
Vollständige Zusammenfassung aller Vertikal- bzw. Quasivertikalkonzepte der MOS-Bauelemente

Umfangreiche, thematisch geordnete Bibliographie der Originalbeiträge

Includes supplementary material: sn.pub/extras
Details
ISBN/GTIN978-3-540-23437-1
ProduktartBuch
EinbandartGebunden
Verlag
Erscheinungsjahr2005
Erscheinungsdatum17.03.2005
ReiheHalbleiter-Elektronik
Seiten429 Seiten
SpracheDeutsch
Gewicht768 g
IllustrationenXVIII, 429 S.
Artikel-Nr.10598557

Inhalt/Kritik

Inhaltsverzeichnis
Logik- und Speicherstrukturen und prinzipielles MOSFET-Verhalten.- Konzepte der CMOS-Logik und HF-Technologie.- Auf vertikalen bzw. quasivertikalen Transistoren basierende Speicher.- Vertikal- und Quasivertikalkonzepte Siliziumbasierter Leistungs-MOSFETs.mehr

Autor

Nach dem Studium der Physik und der Promotion zum Dr.-Ing. arbeitete Jörg Schulze als Wissenschaftlicher Mitarbeiter an der Universität der Bundeswehr München, wo er sich 2004 habilitierte. Ab 2005 war er bei der Siemens AG in München tätig. Parallel lehrte er als Privatdozent an der Fakultät für Physik der UdB München. Zum 1. Oktober wechselt Jörg Schulze an die Universität Stuttgart, wo er die Leitung des Instituts für Halbleitertechnik übernimmt.