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Integrierte Digitale Schaltungen

Vom Transistor zur optimierten Logistikschaltung
BuchGebunden
711 Seiten
Deutsch
Springererschienen am22.05.20153. Aufl.
Als neuer Schwerpunkt der dritten Auflage ziehen sich die Auswirkungen der zeitlichen und örtlichen Schwankungen der Versorgungsspannungen und der Temperatur sowie die Einflüsse der herstellungsbedingten Schwankungen der Transistorparameter wie ein roter Faden durch alle Kapitel.mehr
Verfügbare Formate
BuchGebunden
EUR139,99
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EUR109,99

Produkt

KlappentextAls neuer Schwerpunkt der dritten Auflage ziehen sich die Auswirkungen der zeitlichen und örtlichen Schwankungen der Versorgungsspannungen und der Temperatur sowie die Einflüsse der herstellungsbedingten Schwankungen der Transistorparameter wie ein roter Faden durch alle Kapitel.
Zusammenfassung
Geschlossene Darstellung der Theorie und Anwendung der MOS-Technologie

Einschließlich modernster nanoskaliger Technologieknoten

Grundlegende MOS- und CMOS-Schaltungstechniken

Entwurf effizienter CMOS-Schaltungen

Includes supplementary material: sn.pub/extras
Details
ISBN/GTIN978-3-540-40600-6
ProduktartBuch
EinbandartGebunden
Verlag
Erscheinungsjahr2015
Erscheinungsdatum22.05.2015
Auflage3. Aufl.
Seiten711 Seiten
SpracheDeutsch
Gewicht1377 g
IllustrationenXII, 711 S. 300 Abb., 20 Abb. in Farbe.
Artikel-Nr.10565788

Inhalt/Kritik

Inhaltsverzeichnis
Einleitung.- Physik und Herstellung von MOS-Transistoren.- Leitungen.- Grundschaltungen.- Takte.- Halbleiterspeicher.- Arithmetische Module.- VLSI-Entwurfsmethoden.- Anhang für Kapitel 3.- Literaturverzeichnis.- Sachverzeichnis.mehr
Kritik
"... Das Buch ist für Studierende höherer Semester geeignet, die bereits Vorlesungen über Halbleiterphysik und Logikentwurf gehört haben. Für diejenigen, die bereits im Arbeitsleben stehen, kann es zur Einarbeitung in das beschriebene Gebiet und als Nachschlagewerk dienen." (Karl Schäfer, in: Amazon.de, 1. November 2015)mehr

Autor

Professor Dr.-Ing. Heinrich Klar erlangte in den Jahren 1972 und 1976 die Titel Dipl.-Ing. beziehungsweise Dr.-Ing. an der Technischen Universität München. 1976 trat er in das Forschungslabor der Siemens AG ein. Am 1.10.1989 wechselte er an die Technische Universität Berlin. Dort war er als Professor am Institut für Mikroelektronik bis zu seiner Pensionierung am 1. 10. 2012 tätig. Seine Forschungsschwerpunkte waren integrierte digitale Schaltungen für die Signalverarbeitung, insbesondere für spike-verarbeitende neuronale Netze.

Im analogen Bereich arbeitete er an RF- (Radio-Frequenz-) Schaltungen für die drahtlose Kommunikation, an hochauflösenden und breitbandigen A/D-Wandlern und an Gigabit-Schaltkreisen.

Professor Dr.-Ing. Tobias G. Noll studierte Elektrotechnik an der Fachhochschule Koblenz sowie an der Technischen Universität München und promovierte im Jahre 1989 an der Ruhr-Universität Bochum zum Dr.-Ing. Nach Tätigkeiten am Max-Planck-Institut fürRadio-Astronomie in Bonn und im Bereich Bauelemente sowie im Forschungslabor der Siemens AG, München folgte er im Jahre 1992 einem Ruf auf eine Professur an der RWTH Aachen. Dort lehrt und forscht er am Lehrstuhl für Allgemeine Elektrotechnik und Datenverarbeitungssysteme auf dem Gebiet des technologienahen Architektur- und Schaltungsentwurfs von zuverlässigen, flächen- und energieeffizienten digitalen CMOS-Schaltungen für hochratige Anwendungen der digitalen Signalverarbeitung. Schwerpunkte sind dabei der Entwurf für nanoskalige CMOS-Technologien und die quantitative Cross-Layer-Optimierung über alle Entwurfsebenen, von der algorithmischen Systemebene bis zur physikalischen Implementierungsebene.
Weitere Artikel von
Noll, Tobias