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Rare-Earth Doped III-Nitrides for Optoelectronic and Spintronic Applications

Previously published in hardcover
BuchKartoniert, Paperback
355 Seiten
Englisch
Springer Netherlandserschienen am02.11.20142010
This book summarises recent progress in the science and technology of rare-earth doped nitrides, providing a snapshot of the field at a critical point in its development. It is the first book on rare-earth doped III-Nitrides and semiconductors.mehr
Verfügbare Formate
BuchGebunden
EUR160,49
BuchKartoniert, Paperback
EUR160,49

Produkt

KlappentextThis book summarises recent progress in the science and technology of rare-earth doped nitrides, providing a snapshot of the field at a critical point in its development. It is the first book on rare-earth doped III-Nitrides and semiconductors.
Details
ISBN/GTIN978-94-017-8472-6
ProduktartBuch
EinbandartKartoniert, Paperback
Erscheinungsjahr2014
Erscheinungsdatum02.11.2014
Auflage2010
ReiheTopics in Applied Physics
Seiten355 Seiten
SpracheEnglisch
Gewicht569 g
IllustrationenXVI, 355 p.
Artikel-Nr.33333864

Inhalt/Kritik

Inhaltsverzeichnis
Theoretical Modelling of Rare Earth Dopants in GaN.- RE Implantation and Annealing of III-Nitrides.- Lattice Location of RE Impurities in IIINitrides.- Electroluminescent Devices Using RE-Doped III-Nitrides.- Er-Doped GaN and InxGa1-xN for Optical Communications.- Rare-Earth-Doped GaN Quantum Dot.- Visible Luminescent RE-doped GaN, AlGaN and AlInN.- Combined Excitation Emission Spectroscopy (CEES) of RE Ions in Gallium Nitride.- Excitation Mechanisms of RE Ions in Semiconductors.- High-Temperature Ferromagnetism in the Super-Dilute Magnetic Semiconductor GaN:Gd.- Summary and Prospects for Future Work.mehr