Produkt
KlappentextDie Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Zur Überprüfung des Verständnisses sind Übungsaufgaben zu den einzelnen Themen eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik zusammengeführt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik für mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die überarbeitete und ergänzte 3. Auflage enthält zusätzliche Abschnitte zum chemisch-mechanischen Polieren, zur Mehrlagenverdrahtung und zur Kupfermetallisierung.
Details
Weitere ISBN/GTIN9783322941190
ProduktartE-Book
EinbandartE-Book
FormatPDF
Format Hinweis1 - PDF Watermark
FormatE107
Verlag
Erscheinungsjahr2013
Erscheinungsdatum08.03.2013
Auflage3., überarbeitete und ergänzte Aufl. 2002
Seiten309 Seiten
SpracheDeutsch
IllustrationenXIII, 309 S. 201 Abbildungen
Artikel-Nr.5343951
Rubriken
Genre9200